TK160F10N1 Todos los transistores

 

TK160F10N1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK160F10N1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3960 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220SM
 

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TK160F10N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  toshiba
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TK160F10N1

TK160F10N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK160F10N1TK160F10N1TK160F10N1TK160F10N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.0 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Lo

 9.1. Size:1326K  jiejie micro
 jmtk160p03a.pdf pdf_icon

TK160F10N1

-30V, -39A, 13.7m P-channel Power Trench MOSFETJMTK160P03AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS -30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ -1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=-10V) -39 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 9.6 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 13.7 mWApplications Load Sw

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History: VB1240X | WMO16N65SR

 

 
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