TK160F10N1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK160F10N1  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3960 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm

Encapsulados: TO-220SM

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TK160F10N1 datasheet

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TK160F10N1

TK160F10N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK160F10N1 TK160F10N1 TK160F10N1 TK160F10N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 2.0 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Lo

 9.1. Size:1326K  jiejie micro
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TK160F10N1

-30V, -39A, 13.7m P-channel Power Trench MOSFET JMTK160P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS -30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ -1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -39 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 9.6 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 13.7 mW Applications Load Sw

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