TK160F10N1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK160F10N1  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3960 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm

Тип корпуса: TO-220SM

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для TK160F10N1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK160F10N1 даташит

 ..1. Size:341K  toshiba
 tk160f10n1.pdf pdf_icon

TK160F10N1

TK160F10N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK160F10N1 TK160F10N1 TK160F10N1 TK160F10N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 2.0 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Lo

 9.1. Size:1326K  jiejie micro
 jmtk160p03a.pdf pdf_icon

TK160F10N1

-30V, -39A, 13.7m P-channel Power Trench MOSFET JMTK160P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS -30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ -1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -39 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 9.6 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 13.7 mW Applications Load Sw

Другие IGBT... TK14E65W, TK14E65W5, TK14G65W, TK14G65W5, TK14N65W, TK14N65W5, TK14V65W, TK15S04N1L, IRF9540, TK16A60W, TK16A60W5, TK16C60W, TK16E60W, TK16E60W5, TK16G60W, TK16G60W5, TK16J60W