TK160F10N1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TK160F10N1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 375 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 160 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 121 nC
Время нарастания (tr): 22 ns
Выходная емкость (Cd): 3960 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0024 Ohm
Тип корпуса: TO-220SM
Аналог (замена) для TK160F10N1
TK160F10N1 Datasheet (PDF)
..1. Size:341K toshiba
tk160f10n1.pdf
tk160f10n1.pdf
TK160F10N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK160F10N1TK160F10N1TK160F10N1TK160F10N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.0 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Lo
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
