TK160F10N1 - аналоги и даташиты транзистора

 

TK160F10N1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TK160F10N1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3960 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: TO-220SM
 

 Аналог (замена) для TK160F10N1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK160F10N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  toshiba
 tk160f10n1.pdf pdf_icon

TK160F10N1

TK160F10N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK160F10N1TK160F10N1TK160F10N1TK160F10N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.0 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Lo

 9.1. Size:1326K  jiejie micro
 jmtk160p03a.pdf pdf_icon

TK160F10N1

-30V, -39A, 13.7m P-channel Power Trench MOSFETJMTK160P03AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS -30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ -1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=-10V) -39 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 9.6 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 13.7 mWApplications Load Sw

Другие MOSFET... TK14E65W , TK14E65W5 , TK14G65W , TK14G65W5 , TK14N65W , TK14N65W5 , TK14V65W , TK15S04N1L , IRF9540 , TK16A60W , TK16A60W5 , TK16C60W , TK16E60W , TK16E60W5 , TK16G60W , TK16G60W5 , TK16J60W .

History: AOT2918L | AOT2916L | SSM4924GM | IRF9910PBF-1 | APT5024BFLL | JCS9AN50RC

 

 
Back to Top

 


 
.