TK160F10N1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TK160F10N1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 121 nC
trⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3960 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
Тип корпуса: TO-220SM
Аналог (замена) для TK160F10N1
TK160F10N1 Datasheet (PDF)
tk160f10n1.pdf
TK160F10N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK160F10N1TK160F10N1TK160F10N1TK160F10N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.0 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Lo
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD