TK16E60W5 Todos los transistores

 

TK16E60W5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK16E60W5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 43 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de TK16E60W5 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TK16E60W5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  toshiba
 tk16e60w5.pdf pdf_icon

TK16E60W5

TK16E60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK16E60W5TK16E60W5TK16E60W5TK16E60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 100 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.18 (typ.) by used to Super Junction Str

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk16e60w5.pdf pdf_icon

TK16E60W5

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK16E60W5ITK16E60W5FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.23.Enhancement mode:Vth =3.0 to 4.5V (VDS = 10 V, ID=0.79mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 6.1. Size:251K  toshiba
 tk16e60w.pdf pdf_icon

TK16E60W5

TK16E60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK16E60WTK16E60WTK16E60WTK16E60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.16 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En

 6.2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk16e60w.pdf pdf_icon

TK16E60W5

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK16E60WITK16E60WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.19.Enhancement mode:Vth =2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=0.79mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... TK14N65W5 , TK14V65W , TK15S04N1L , TK160F10N1 , TK16A60W , TK16A60W5 , TK16C60W , TK16E60W , IRF1010E , TK16G60W , TK16G60W5 , TK16J60W , TK16J60W5 , TK16N60W , TK16N60W5 , TK16V60W , TK16V60W5 .

 

 
Back to Top

 


 
.