TK16E60W5 - аналоги и даташиты транзистора

 

TK16E60W5 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TK16E60W5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK16E60W5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  toshiba
 tk16e60w5.pdf pdf_icon

TK16E60W5

TK16E60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK16E60W5TK16E60W5TK16E60W5TK16E60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 100 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.18 (typ.) by used to Super Junction Str

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk16e60w5.pdf pdf_icon

TK16E60W5

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK16E60W5ITK16E60W5FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.23.Enhancement mode:Vth =3.0 to 4.5V (VDS = 10 V, ID=0.79mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 6.1. Size:251K  toshiba
 tk16e60w.pdf pdf_icon

TK16E60W5

TK16E60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK16E60WTK16E60WTK16E60WTK16E60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.16 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En

 6.2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk16e60w.pdf pdf_icon

TK16E60W5

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK16E60WITK16E60WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.19.Enhancement mode:Vth =2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=0.79mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TK14N65W5 , TK14V65W , TK15S04N1L , TK160F10N1 , TK16A60W , TK16A60W5 , TK16C60W , TK16E60W , IRF1010E , TK16G60W , TK16G60W5 , TK16J60W , TK16J60W5 , TK16N60W , TK16N60W5 , TK16V60W , TK16V60W5 .

History: AM3520C | IRLML2244TRPBF

 

 
Back to Top

 


 
.