TK16E60W5 - аналоги и даташиты транзистора

 

TK16E60W5 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TK16E60W5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для TK16E60W5

 

TK16E60W5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  toshiba
 tk16e60w5.pdf pdf_icon

TK16E60W5

TK16E60W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK16E60W5 TK16E60W5 TK16E60W5 TK16E60W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 100 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.18 (typ.) by used to Super Junction Str

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk16e60w5.pdf pdf_icon

TK16E60W5

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK16E60W5 ITK16E60W5 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.23 . Enhancement mode Vth =3.0 to 4.5V (VDS = 10 V, ID=0.79mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 6.1. Size:251K  toshiba
 tk16e60w.pdf pdf_icon

TK16E60W5

TK16E60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK16E60W TK16E60W TK16E60W TK16E60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.16 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

 6.2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk16e60w.pdf pdf_icon

TK16E60W5

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK16E60W ITK16E60W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.19 . Enhancement mode Vth =2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=0.79mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TK14N65W5 , TK14V65W , TK15S04N1L , TK160F10N1 , TK16A60W , TK16A60W5 , TK16C60W , TK16E60W , IRF9540N , TK16G60W , TK16G60W5 , TK16J60W , TK16J60W5 , TK16N60W , TK16N60W5 , TK16V60W , TK16V60W5 .

History: STP2NK60Z | IPA60R180P7S | PT9435 | ZVN3310FTA | PSMN6R4-30MLD | ZVNL110ASTOB | MTP4N90

 

 
Back to Top

 


 
.