TK16N60W Todos los transistores

 

TK16N60W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK16N60W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

 Búsqueda de reemplazo de TK16N60W MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TK16N60W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  toshiba
 tk16n60w.pdf pdf_icon

TK16N60W

TK16N60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK16N60WTK16N60WTK16N60WTK16N60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.16 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En

 0.1. Size:246K  toshiba
 tk16n60w5.pdf pdf_icon

TK16N60W

TK16N60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK16N60W5TK16N60W5TK16N60W5TK16N60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 100 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.18 (typ.) by used to Super Junction Str

 9.1. Size:178K  st
 stk16n10l.pdf pdf_icon

TK16N60W

Otros transistores... TK16A60W5 , TK16C60W , TK16E60W , TK16E60W5 , TK16G60W , TK16G60W5 , TK16J60W , TK16J60W5 , 8205A , TK16N60W5 , TK16V60W , TK16V60W5 , TK17A80W , TK17C65W , TK17E65W , TK17N65W , TK17V65W .

History: APT12060B2VR | AOT280L | MMBFJ111 | PA710ED | IPP80N06S2L-05 | PA910BC | TK11A55D

 

 
Back to Top

 


 
.