TK16N60W Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK16N60W  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: TO-247

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TK16N60W datasheet

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TK16N60W

TK16N60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK16N60W TK16N60W TK16N60W TK16N60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.16 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

 0.1. Size:246K  toshiba
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TK16N60W

TK16N60W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK16N60W5 TK16N60W5 TK16N60W5 TK16N60W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 100 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.18 (typ.) by used to Super Junction Str

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TK16N60W

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