TK16N60W - аналоги и даташиты транзистора

 

TK16N60W - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TK16N60W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для TK16N60W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK16N60W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  toshiba
 tk16n60w.pdf pdf_icon

TK16N60W

TK16N60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK16N60WTK16N60WTK16N60WTK16N60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.16 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En

 0.1. Size:246K  toshiba
 tk16n60w5.pdf pdf_icon

TK16N60W

TK16N60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK16N60W5TK16N60W5TK16N60W5TK16N60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 100 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.18 (typ.) by used to Super Junction Str

 9.1. Size:178K  st
 stk16n10l.pdf pdf_icon

TK16N60W

Другие MOSFET... TK16A60W5 , TK16C60W , TK16E60W , TK16E60W5 , TK16G60W , TK16G60W5 , TK16J60W , TK16J60W5 , 4435 , TK16N60W5 , TK16V60W , TK16V60W5 , TK17A80W , TK17C65W , TK17E65W , TK17N65W , TK17V65W .

History: SSP65R650S2 | AOW11S60 | SLF65R300S2 | SLF10N65A | HMS85N95 | R6509ENX | IPAN60R360PFD7S

 

 
Back to Top

 


 
.