Справочник MOSFET. TK16N60W

 

TK16N60W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK16N60W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.7 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 38 nC
   Время нарастания (tr): 25 ns
   Выходная емкость (Cd): 35 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для TK16N60W

 

 

TK16N60W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  toshiba
 tk16n60w.pdf

TK16N60W TK16N60W

TK16N60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK16N60WTK16N60WTK16N60WTK16N60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.16 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En

 0.1. Size:246K  toshiba
 tk16n60w5.pdf

TK16N60W TK16N60W

TK16N60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK16N60W5TK16N60W5TK16N60W5TK16N60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 100 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.18 (typ.) by used to Super Junction Str

 9.1. Size:178K  st
 stk16n10l.pdf

TK16N60W TK16N60W

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top