TK16V60W Todos los transistores

 

TK16V60W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK16V60W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 139 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN8X8
 

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TK16V60W Datasheet (PDF)

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TK16V60W

TK16V60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK16V60WTK16V60WTK16V60WTK16V60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.16 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En

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TK16V60W

TK16V60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK16V60W5TK16V60W5TK16V60W5TK16V60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 100 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.196 (typ.)(3) Easy to control Gate switc

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History: HFP9N50 | NCE50NF600I | BUK9Y4R4-40E | MMIX1F360N15T2 | PMV48XPA | 2N6917 | ME80N08A

 

 
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