TK16V60W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK16V60W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: DFN8X8

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для TK16V60W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK16V60W даташит

 ..1. Size:251K  toshiba
 tk16v60w.pdf pdf_icon

TK16V60W

TK16V60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK16V60W TK16V60W TK16V60W TK16V60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.16 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

 0.1. Size:275K  toshiba
 tk16v60w5.pdf pdf_icon

TK16V60W

TK16V60W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK16V60W5 TK16V60W5 TK16V60W5 TK16V60W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 100 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.196 (typ.) (3) Easy to control Gate switc

Другие IGBT... TK16E60W, TK16E60W5, TK16G60W, TK16G60W5, TK16J60W, TK16J60W5, TK16N60W, TK16N60W5, SPP20N60C3, TK16V60W5, TK17A80W, TK17C65W, TK17E65W, TK17N65W, TK17V65W, TK18E10K3, TK200F04N1L