TK17V65W Todos los transistores

 

TK17V65W MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK17V65W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN8X8
 

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TK17V65W datasheet

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TK17V65W

TK17V65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK17V65W TK17V65W TK17V65W TK17V65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.175 (typ.) by using Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enha

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