Справочник MOSFET. TK17V65W

 

TK17V65W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK17V65W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
   Тип корпуса: DFN8X8
 

 Аналог (замена) для TK17V65W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK17V65W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:291K  toshiba
 tk17v65w.pdf pdf_icon

TK17V65W

TK17V65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK17V65WTK17V65WTK17V65WTK17V65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.175 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enha

Другие MOSFET... TK16N60W , TK16N60W5 , TK16V60W , TK16V60W5 , TK17A80W , TK17C65W , TK17E65W , TK17N65W , 4435 , TK18E10K3 , TK200F04N1L , TK20A60W , TK20A60W5 , TK20C60W , TK20E60W , TK20E60W5 , TK20G60W .

History: 2SK2084STL-E | LNC06R062 | SLH60R080SS | AP4511GM | IRFY340CM | TSF840MR

 

 
Back to Top

 


 
.