TK17V65W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK17V65W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm

Тип корпуса: DFN8X8

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для TK17V65W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK17V65W даташит

 ..1. Size:291K  toshiba
 tk17v65w.pdf pdf_icon

TK17V65W

TK17V65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK17V65W TK17V65W TK17V65W TK17V65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.175 (typ.) by using Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enha

Другие IGBT... TK16N60W, TK16N60W5, TK16V60W, TK16V60W5, TK17A80W, TK17C65W, TK17E65W, TK17N65W, 5N65, TK18E10K3, TK200F04N1L, TK20A60W, TK20A60W5, TK20C60W, TK20E60W, TK20E60W5, TK20G60W