TK18E10K3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK18E10K3  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de TK18E10K3 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TK18E10K3 datasheet

 ..1. Size:240K  toshiba
 tk18e10k3.pdf pdf_icon

TK18E10K3

TK18E10K3 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK18E10K3 TK18E10K3 TK18E10K3 TK18E10K3 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 33 m (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 28 S (typ.) (3) Low leakage current

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk18e10k3.pdf pdf_icon

TK18E10K3

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK18E10K3 ITK18E10K3 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.042 . Enhancement mode Vth =2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

Otros transistores... TK16N60W5, TK16V60W, TK16V60W5, TK17A80W, TK17C65W, TK17E65W, TK17N65W, TK17V65W, IRF1010E, TK200F04N1L, TK20A60W, TK20A60W5, TK20C60W, TK20E60W, TK20E60W5, TK20G60W, TK20J60W