TK18E10K3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK18E10K3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TK18E10K3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK18E10K3 даташит

 ..1. Size:240K  toshiba
 tk18e10k3.pdf pdf_icon

TK18E10K3

TK18E10K3 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK18E10K3 TK18E10K3 TK18E10K3 TK18E10K3 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 33 m (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 28 S (typ.) (3) Low leakage current

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk18e10k3.pdf pdf_icon

TK18E10K3

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK18E10K3 ITK18E10K3 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.042 . Enhancement mode Vth =2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

Другие IGBT... TK16N60W5, TK16V60W, TK16V60W5, TK17A80W, TK17C65W, TK17E65W, TK17N65W, TK17V65W, IRFB3607, TK200F04N1L, TK20A60W, TK20A60W5, TK20C60W, TK20E60W, TK20E60W5, TK20G60W, TK20J60W