TK18E10K3 - аналоги и даташиты транзистора

 

TK18E10K3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TK18E10K3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK18E10K3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  toshiba
 tk18e10k3.pdf pdf_icon

TK18E10K3

TK18E10K3MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TK18E10K3TK18E10K3TK18E10K3TK18E10K31. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 33 m (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 28 S (typ.)(3) Low leakage current:

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk18e10k3.pdf pdf_icon

TK18E10K3

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK18E10K3ITK18E10K3FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.042.Enhancement mode:Vth =2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

Другие MOSFET... TK16N60W5 , TK16V60W , TK16V60W5 , TK17A80W , TK17C65W , TK17E65W , TK17N65W , TK17V65W , IRF530 , TK200F04N1L , TK20A60W , TK20A60W5 , TK20C60W , TK20E60W , TK20E60W5 , TK20G60W , TK20J60W .

 

 
Back to Top

 


 
.