TK18E10K3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TK18E10K3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
Тип корпуса: TO-220
TK18E10K3 Datasheet (PDF)
tk18e10k3.pdf

TK18E10K3MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TK18E10K3TK18E10K3TK18E10K3TK18E10K31. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 33 m (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 28 S (typ.)(3) Low leakage current:
tk18e10k3.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK18E10K3ITK18E10K3FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.042.Enhancement mode:Vth =2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
Другие MOSFET... TK16N60W5 , TK16V60W , TK16V60W5 , TK17A80W , TK17C65W , TK17E65W , TK17N65W , TK17V65W , IRF530 , TK200F04N1L , TK20A60W , TK20A60W5 , TK20C60W , TK20E60W , TK20E60W5 , TK20G60W , TK20J60W .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0611PP | JMSL0611PGD | JMSL0611PG | JMSL0610AGDQ | JMSL0610AGD | JMSL060SPGQ | JMSL0609PPD | JMSL0609AUQ | JMSL0609AU | JMSL0609APD | JMSL0609AP | JMSL0609AKQ | JMSL0609AK | JMSL0609AGWQ | JMSL0609AGQ | JMSL0609AG
Popular searches
2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet