Справочник MOSFET. TK18E10K3

 

TK18E10K3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK18E10K3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK18E10K3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  toshiba
 tk18e10k3.pdf pdf_icon

TK18E10K3

TK18E10K3MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TK18E10K3TK18E10K3TK18E10K3TK18E10K31. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 33 m (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 28 S (typ.)(3) Low leakage current:

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk18e10k3.pdf pdf_icon

TK18E10K3

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK18E10K3ITK18E10K3FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.042.Enhancement mode:Vth =2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IPP052N06L3G | 2N65G-TMS-T | IPB160N04S2-03 | 2SK2959 | 2SK3026 | BRCS080N02ZB | BTS140A

 

 
Back to Top

 


 
.