TK18E10K3 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги TK18E10K3. Основные параметры


   Наименование производителя: TK18E10K3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для TK18E10K3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK18E10K3 даташит

 ..1. Size:240K  toshiba
 tk18e10k3.pdf pdf_icon

TK18E10K3

TK18E10K3 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK18E10K3 TK18E10K3 TK18E10K3 TK18E10K3 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 33 m (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 28 S (typ.) (3) Low leakage current

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk18e10k3.pdf pdf_icon

TK18E10K3

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK18E10K3 ITK18E10K3 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.042 . Enhancement mode Vth =2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

Другие MOSFET... TK16N60W5 , TK16V60W , TK16V60W5 , TK17A80W , TK17C65W , TK17E65W , TK17N65W , TK17V65W , IRF1010E , TK200F04N1L , TK20A60W , TK20A60W5 , TK20C60W , TK20E60W , TK20E60W5 , TK20G60W , TK20J60W .

History: IXFP16N50P | IXTX22N100L | IXTX40P50P | IXTY05N100 | SST113 | KRF7604 | FDY4000CZ

 

 
Back to Top

 


 
.