TK200F04N1L Todos los transistores

 

TK200F04N1L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK200F04N1L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7680 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220SM
 

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TK200F04N1L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:273K  toshiba
 tk200f04n1l.pdf pdf_icon

TK200F04N1L

TK200F04N1LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK200F04N1LTK200F04N1LTK200F04N1LTK200F04N1L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.78 m (typ.) (VGS = 10 V)

 9.1. Size:162K  ixys
 ixtk200n10p.pdf pdf_icon

TK200F04N1L

VDSS = 100 VIXTK 200N10PPolarHTTMID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 7.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXTK)VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGID25 TC = 25 C 200 AD(TAB)SID

 9.2. Size:818K  first silicon
 ftk2005dfn23.pdf pdf_icon

TK200F04N1L

SEMICONDUCTORFTK2005DFN23TECHNICAL DATADFNWB2 3-6L-CDual N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX 13 Vm@10 14 @4.5Vm 15.5m@3.8V8A20V.5V 19m@227m@1.8VDESCRIPTIONThe FTK2005DFN23 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) low gate charge.It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-direction

 9.3. Size:883K  jiejie micro
 jmtk2007a.pdf pdf_icon

TK200F04N1L

JMTK2007ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 20V, 50A Load SwitchRDS(ON)

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History: AP70T03AH | TK14N65W | MMN8220 | SIR798DP | IRF7103IPBF | IRFP4242PBF | MMN9926BDY

 

 
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