TK200F04N1L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK200F04N1L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 214 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7680 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220SM

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK200F04N1L

TK200F04N1L Datasheet (PDF)

..1. Size:273K toshiba
tk200f04n1l.pdf

TK200F04N1LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK200F04N1LTK200F04N1LTK200F04N1LTK200F04N1L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.78 m (typ.) (VGS = 10 V)

9.1. Size:162K ixys
ixtk200n10p.pdf

VDSS = 100 VIXTK 200N10PPolarHTTMID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 7.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXTK)VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGID25 TC = 25 C 200 AD(TAB)SID

9.2. Size:818K first silicon
ftk2005dfn23.pdf

SEMICONDUCTORFTK2005DFN23TECHNICAL DATADFNWB2 3-6L-CDual N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX 13 Vm@10 14 @4.5Vm 15.5m@3.8V8A20V.5V 19m@227m@1.8VDESCRIPTIONThe FTK2005DFN23 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) low gate charge.It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-direction

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: