TK200F04N1L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TK200F04N1L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 7680 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0009 Ohm
Тип корпуса: TO-220SM
Аналог (замена) для TK200F04N1L
TK200F04N1L Datasheet (PDF)
tk200f04n1l.pdf

TK200F04N1LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK200F04N1LTK200F04N1LTK200F04N1LTK200F04N1L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.78 m (typ.) (VGS = 10 V)
ixtk200n10p.pdf

VDSS = 100 VIXTK 200N10PPolarHTTMID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 7.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXTK)VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGID25 TC = 25 C 200 AD(TAB)SID
ftk2005dfn23.pdf

SEMICONDUCTORFTK2005DFN23TECHNICAL DATADFNWB2 3-6L-CDual N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX 13 Vm@10 14 @4.5Vm 15.5m@3.8V8A20V.5V 19m@227m@1.8VDESCRIPTIONThe FTK2005DFN23 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) low gate charge.It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-direction
jmtk2007a.pdf

JMTK2007ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 20V, 50A Load SwitchRDS(ON)
Другие MOSFET... TK16V60W , TK16V60W5 , TK17A80W , TK17C65W , TK17E65W , TK17N65W , TK17V65W , TK18E10K3 , IRF1407 , TK20A60W , TK20A60W5 , TK20C60W , TK20E60W , TK20E60W5 , TK20G60W , TK20J60W , TK20J60W5 .
History: LND06R062 | NCE1512IA | SIRA72DP | CM6N40C | SQM110N06-04L | STD5NM60T4 | MTP3N100
History: LND06R062 | NCE1512IA | SIRA72DP | CM6N40C | SQM110N06-04L | STD5NM60T4 | MTP3N100



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet