TK20V60W5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK20V60W5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 55 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN8X8

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TK20V60W5 Datasheet (PDF)

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tk20v60w5.pdf

TK20V60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK20V60W5TK20V60W5TK20V60W5TK20V60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 110 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.156 (typ.)(3) Easy to control Gate switc

6.1. Size:239K toshiba
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TK20V60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK20V60WTK20V60WTK20V60WTK20V60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.136 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

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Liste

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