TK20V60W5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK20V60W5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN8X8
TK20V60W5 Datasheet (PDF)
tk20v60w5.pdf

TK20V60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK20V60W5TK20V60W5TK20V60W5TK20V60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 110 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.156 (typ.)(3) Easy to control Gate switc
tk20v60w.pdf

TK20V60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK20V60WTK20V60WTK20V60WTK20V60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.136 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E
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History: SGO100N08L | IPI09N03LA | BUK9840-55 | BUK7207-30B | SE4N65 | SH8K26 | SIHFI9Z14G
History: SGO100N08L | IPI09N03LA | BUK9840-55 | BUK7207-30B | SE4N65 | SH8K26 | SIHFI9Z14G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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