TK20V60W5 Todos los transistores

 

TK20V60W5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK20V60W5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN8X8
 

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TK20V60W5 datasheet

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TK20V60W5

TK20V60W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK20V60W5 TK20V60W5 TK20V60W5 TK20V60W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 110 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.156 (typ.) (3) Easy to control Gate switc

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TK20V60W5

TK20V60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK20V60W TK20V60W TK20V60W TK20V60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.136 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

Otros transistores... TK20E60W , TK20E60W5 , TK20G60W , TK20J60W , TK20J60W5 , TK20N60W , TK20N60W5 , TK20V60W , IRFP250 , TK22A10N1 , TK22E10N1 , TK25A60X , TK25A60X5 , TK25E60X , TK25E60X5 , TK25N60X , TK25N60X5 .

History: 2N4416AC1D

 

 
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