TK20V60W5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK20V60W5  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: DFN8X8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TK20V60W5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK20V60W5 даташит

 ..1. Size:270K  toshiba
 tk20v60w5.pdf pdf_icon

TK20V60W5

TK20V60W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK20V60W5 TK20V60W5 TK20V60W5 TK20V60W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 110 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.156 (typ.) (3) Easy to control Gate switc

 6.1. Size:239K  toshiba
 tk20v60w.pdf pdf_icon

TK20V60W5

TK20V60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK20V60W TK20V60W TK20V60W TK20V60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.136 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

Другие IGBT... TK20E60W, TK20E60W5, TK20G60W, TK20J60W, TK20J60W5, TK20N60W, TK20N60W5, TK20V60W, IRFP450, TK22A10N1, TK22E10N1, TK25A60X, TK25A60X5, TK25E60X, TK25E60X5, TK25N60X, TK25N60X5