Справочник MOSFET. TK20V60W5

 

TK20V60W5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK20V60W5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: DFN8X8
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK20V60W5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:270K  toshiba
 tk20v60w5.pdf pdf_icon

TK20V60W5

TK20V60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK20V60W5TK20V60W5TK20V60W5TK20V60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 110 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.156 (typ.)(3) Easy to control Gate switc

 6.1. Size:239K  toshiba
 tk20v60w.pdf pdf_icon

TK20V60W5

TK20V60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK20V60WTK20V60WTK20V60WTK20V60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.136 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

Другие MOSFET... TK20E60W , TK20E60W5 , TK20G60W , TK20J60W , TK20J60W5 , TK20N60W , TK20N60W5 , TK20V60W , STF13NM60N , TK22A10N1 , TK22E10N1 , TK25A60X , TK25A60X5 , TK25E60X , TK25E60X5 , TK25N60X , TK25N60X5 .

History: AUIRF2804L | AOI21357 | IPB055N03LG | AP6924GEY

 

 
Back to Top

 


 
.