TK22A10N1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK22A10N1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 28 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0138 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220SIS
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK22A10N1
TK22A10N1 Datasheet (PDF)
tk22a10n1.pdf
TK22A10N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK22A10N1TK22A10N1TK22A10N1TK22A10N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 11.5 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 100 V)(3) Enh
tk22a10n1.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor TK22A10N1ITK22A10N1FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 11.5m (typ.) (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.3mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOL
tk22a65x5.pdf
TK22A65X5MOSFET NMOS (DTMOS-H)TK22A65X5TK22A65X5TK22A65X5TK22A65X51. 1. 1. 1. 2. 2. 2. 2. (1) : RDS(ON) = 0.135 ()(2)
tk22a65x5.pdf
INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK22A65X5ITK22A65X5FEATURESLow drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.135 (typ.)Enhancement mode: Vth = 3 to 4.5V (VDS = 10 V, ID=1.1mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(
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Liste
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