Справочник MOSFET. TK22A10N1

 

TK22A10N1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK22A10N1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0138 Ohm
   Тип корпуса: TO-220SIS

 Аналог (замена) для TK22A10N1

 

 

TK22A10N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  toshiba
 tk22a10n1.pdf

TK22A10N1 TK22A10N1

TK22A10N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK22A10N1TK22A10N1TK22A10N1TK22A10N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 11.5 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 100 V)(3) Enh

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 tk22a10n1.pdf

TK22A10N1 TK22A10N1

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor TK22A10N1ITK22A10N1FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 11.5m (typ.) (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.3mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOL

 9.1. Size:549K  toshiba
 tk22a65x5.pdf

TK22A10N1 TK22A10N1

TK22A65X5MOSFET NMOS (DTMOS-H)TK22A65X5TK22A65X5TK22A65X5TK22A65X51. 1. 1. 1. 2. 2. 2. 2. (1) : RDS(ON) = 0.135 ()(2)

 9.2. Size:252K  inchange semiconductor
 tk22a65x5.pdf

TK22A10N1 TK22A10N1

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK22A65X5ITK22A65X5FEATURESLow drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.135 (typ.)Enhancement mode: Vth = 3 to 4.5V (VDS = 10 V, ID=1.1mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top