TK22E10N1 Todos los transistores

 

TK22E10N1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK22E10N1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0138 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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TK22E10N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  toshiba
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TK22E10N1

TK22E10N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK22E10N1TK22E10N1TK22E10N1TK22E10N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 11.5 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 100 V)(3) Enh

 ..2. Size:245K  inchange semiconductor
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TK22E10N1

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK22E10N1ITK22E10N1FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 13.8m. (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth =2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.3mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXI

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History: IPP77N06S2-12 | NTHS4166NT1G | CM2N60F | FMW47N60S1HF | SI5999EDU | CSFR2N60D | NCEP020N30BQU

 

 
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