TK22E10N1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK22E10N1  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0138 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TK22E10N1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK22E10N1 даташит

 ..1. Size:244K  toshiba
 tk22e10n1.pdf pdf_icon

TK22E10N1

TK22E10N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK22E10N1 TK22E10N1 TK22E10N1 TK22E10N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 11.5 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 100 V) (3) Enh

 ..2. Size:245K  inchange semiconductor
 tk22e10n1.pdf pdf_icon

TK22E10N1

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK22E10N1 ITK22E10N1 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 13.8m . (VGS = 10 V) Enhancement mode Vth =2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.3mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXI

Другие IGBT... TK20G60W, TK20J60W, TK20J60W5, TK20N60W, TK20N60W5, TK20V60W, TK20V60W5, TK22A10N1, 2SK3568, TK25A60X, TK25A60X5, TK25E60X, TK25E60X5, TK25N60X, TK25N60X5, TK25S06N1L, TK25V60X