Справочник MOSFET. TK22E10N1

 

TK22E10N1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK22E10N1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0138 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для TK22E10N1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK22E10N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  toshiba
 tk22e10n1.pdf pdf_icon

TK22E10N1

TK22E10N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK22E10N1TK22E10N1TK22E10N1TK22E10N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 11.5 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 100 V)(3) Enh

 ..2. Size:245K  inchange semiconductor
 tk22e10n1.pdf pdf_icon

TK22E10N1

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK22E10N1ITK22E10N1FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 13.8m. (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth =2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.3mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXI

Другие MOSFET... TK20G60W , TK20J60W , TK20J60W5 , TK20N60W , TK20N60W5 , TK20V60W , TK20V60W5 , TK22A10N1 , 5N65 , TK25A60X , TK25A60X5 , TK25E60X , TK25E60X5 , TK25N60X , TK25N60X5 , TK25S06N1L , TK25V60X .

History: HX2300A | SVS60R360FJDE3 | SVD50N06MJ | IRFH5301PBF | AP9972GI-HF | NP20P06YLG | 2SK2760-01

 

 
Back to Top

 


 
.