TK25N60X MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK25N60X
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 40 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK25N60X

TK25N60X Datasheet (PDF)

..1. Size:244K toshiba
tk25n60x.pdf

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0.1. Size:370K toshiba
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TK25N60X5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS-H)TK25N60X5TK25N60X5TK25N60X5TK25N60X51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 120 ns(typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.12 (typ.)(3) Easy to control Gate switc

9.1. Size:430K first silicon
ftk25n03pdfn33.pdf

SEMICONDUCTORFTK25N03PDFN33TECHNICAL DATAN-Channel Power MOSFET PDFN3.33.3-8L-A DESCRIPTION The FTK25N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES Battery switch Good stability and uniformity with high EAS Load switch Excellent package for good he

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Liste

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