Справочник MOSFET. TK25N60X

 

TK25N60X MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK25N60X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для TK25N60X

 

 

TK25N60X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  toshiba
tk25n60x.pdf

TK25N60X TK25N60X

TK25N60XMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS-H)TK25N60XTK25N60XTK25N60XTK25N60X1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.105 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) High-speed switching properties wit

 0.1. Size:370K  toshiba
tk25n60x5.pdf

TK25N60X TK25N60X

TK25N60X5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS-H)TK25N60X5TK25N60X5TK25N60X5TK25N60X51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 120 ns(typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.12 (typ.)(3) Easy to control Gate switc

 9.1. Size:430K  first silicon
ftk25n03pdfn33.pdf

TK25N60X TK25N60X

SEMICONDUCTORFTK25N03PDFN33TECHNICAL DATAN-Channel Power MOSFET PDFN3.33.3-8L-A DESCRIPTION The FTK25N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES Battery switch Good stability and uniformity with high EAS Load switch Excellent package for good he

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top