TK25S06N1L Todos los transistores

 

TK25S06N1L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK25S06N1L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0185 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de TK25S06N1L MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TK25S06N1L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  toshiba
 tk25s06n1l.pdf pdf_icon

TK25S06N1L

TK25S06N1LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK25S06N1LTK25S06N1LTK25S06N1LTK25S06N1L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) AEC-Q101 qualified(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 15 m (typ.) (VGS = 10 V)(3) L

Otros transistores... TK22A10N1 , TK22E10N1 , TK25A60X , TK25A60X5 , TK25E60X , TK25E60X5 , TK25N60X , TK25N60X5 , 20N50 , TK25V60X , TK25V60X5 , TK28A65W , TK28E65W , TK28N65W , TK28N65W5 , TK28V65W , TK2P90E .

History: 30N06L-TF1-T | 2SK2531 | BSB053N03LPG

 

 
Back to Top

 


 
.