TK25S06N1L Todos los transistores

 

TK25S06N1L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK25S06N1L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0185 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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TK25S06N1L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  toshiba
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TK25S06N1L

TK25S06N1LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK25S06N1LTK25S06N1LTK25S06N1LTK25S06N1L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) AEC-Q101 qualified(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 15 m (typ.) (VGS = 10 V)(3) L

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History: AM90P06-08P | AP9997GK-HF | SSM3K35FS | KPA1890 | AP6P025H | SLP5N65S | BRB100N03

 

 
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