Справочник MOSFET. TK25S06N1L

 

TK25S06N1L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK25S06N1L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0185 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TK25S06N1L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK25S06N1L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  toshiba
 tk25s06n1l.pdf pdf_icon

TK25S06N1L

TK25S06N1LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK25S06N1LTK25S06N1LTK25S06N1LTK25S06N1L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) AEC-Q101 qualified(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 15 m (typ.) (VGS = 10 V)(3) L

Другие MOSFET... TK22A10N1 , TK22E10N1 , TK25A60X , TK25A60X5 , TK25E60X , TK25E60X5 , TK25N60X , TK25N60X5 , 2N60 , TK25V60X , TK25V60X5 , TK28A65W , TK28E65W , TK28N65W , TK28N65W5 , TK28V65W , TK2P90E .

History: GSM1073 | SSM40P03GH | NCE65N230F | 3SK294 | AP4407S | SLU2N65UZ | 15NM70L-TM3-T

 

 
Back to Top

 


 
.