TK25S06N1L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK25S06N1L  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0185 Ohm

Тип корпуса: DPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TK25S06N1L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK25S06N1L даташит

 ..1. Size:241K  toshiba
 tk25s06n1l.pdf pdf_icon

TK25S06N1L

TK25S06N1L MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK25S06N1L TK25S06N1L TK25S06N1L TK25S06N1L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 15 m (typ.) (VGS = 10 V) (3) L

Другие IGBT... TK22A10N1, TK22E10N1, TK25A60X, TK25A60X5, TK25E60X, TK25E60X5, TK25N60X, TK25N60X5, 20N50, TK25V60X, TK25V60X5, TK28A65W, TK28E65W, TK28N65W, TK28N65W5, TK28V65W, TK2P90E