TK25V60X5 Todos los transistores

 

TK25V60X5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK25V60X5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: DFN8X8

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TK25V60X5 datasheet

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TK25V60X5

TK25V60X5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK25V60X5 TK25V60X5 TK25V60X5 TK25V60X5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 120 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.125 (typ.) (3) Easy to control Gate switc

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TK25V60X5

TK25V60X MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS -H) TK25V60X TK25V60X TK25V60X TK25V60X 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.11 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) High-speed switching properties with

Otros transistores... TK25A60X , TK25A60X5 , TK25E60X , TK25E60X5 , TK25N60X , TK25N60X5 , TK25S06N1L , TK25V60X , IRF2807 , TK28A65W , TK28E65W , TK28N65W , TK28N65W5 , TK28V65W , TK2P90E , TK30A06N1 , TK30E06N1 .

History: MDIS1903TH | BLF7G22L-100P | BSH121 | BSH114

 

 

 

 

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