TK25V60X5 - описание и поиск аналогов

 

TK25V60X5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK25V60X5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: DFN8X8

Аналог (замена) для TK25V60X5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK25V60X5 даташит

 ..1. Size:365K  toshiba
 tk25v60x5.pdf pdf_icon

TK25V60X5

TK25V60X5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK25V60X5 TK25V60X5 TK25V60X5 TK25V60X5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 120 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.125 (typ.) (3) Easy to control Gate switc

 6.1. Size:238K  toshiba
 tk25v60x.pdf pdf_icon

TK25V60X5

TK25V60X MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS -H) TK25V60X TK25V60X TK25V60X TK25V60X 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.11 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) High-speed switching properties with

Другие MOSFET... TK25A60X , TK25A60X5 , TK25E60X , TK25E60X5 , TK25N60X , TK25N60X5 , TK25S06N1L , TK25V60X , IRF2807 , TK28A65W , TK28E65W , TK28N65W , TK28N65W5 , TK28V65W , TK2P90E , TK30A06N1 , TK30E06N1 .

History: MDI6N60BTH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.