Справочник MOSFET. TK25V60X5

 

TK25V60X5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK25V60X5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: DFN8X8

 Аналог (замена) для TK25V60X5

 

 

TK25V60X5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:365K  toshiba
 tk25v60x5.pdf

TK25V60X5 TK25V60X5

TK25V60X5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK25V60X5TK25V60X5TK25V60X5TK25V60X51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 120 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.125 (typ.)(3) Easy to control Gate switc

 6.1. Size:238K  toshiba
 tk25v60x.pdf

TK25V60X5 TK25V60X5

TK25V60XMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS-H)TK25V60XTK25V60XTK25V60XTK25V60X1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.11 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) High-speed switching properties with

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top