TK28E65W MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK28E65W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Encapsulados: TO-220
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TK28E65W datasheet
tk28e65w.pdf
TK28E65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK28E65W TK28E65W TK28E65W TK28E65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.094 (typ.) by using Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enha
tk28e65w.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK28E65W ITK28E65W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.11 . Enhancement mode Vth =2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=1.6mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
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History: IXFH140N10P | BUK553-100B | BLS7G2325L-105
History: IXFH140N10P | BUK553-100B | BLS7G2325L-105
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