TK28E65W - описание и поиск аналогов

 

TK28E65W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK28E65W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для TK28E65W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK28E65W даташит

 ..1. Size:307K  toshiba
 tk28e65w.pdf pdf_icon

TK28E65W

TK28E65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK28E65W TK28E65W TK28E65W TK28E65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.094 (typ.) by using Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enha

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk28e65w.pdf pdf_icon

TK28E65W

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK28E65W ITK28E65W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.11 . Enhancement mode Vth =2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=1.6mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

Другие MOSFET... TK25E60X , TK25E60X5 , TK25N60X , TK25N60X5 , TK25S06N1L , TK25V60X , TK25V60X5 , TK28A65W , IRFZ24N , TK28N65W , TK28N65W5 , TK28V65W , TK2P90E , TK30A06N1 , TK30E06N1 , TK31A60W , TK31E60W .

History: BUZ32H | WM06DN03DE

 

 

 

 

↑ Back to Top
.