Справочник MOSFET. TK28E65W

 

TK28E65W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK28E65W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для TK28E65W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK28E65W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  toshiba
 tk28e65w.pdf pdf_icon

TK28E65W

TK28E65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK28E65WTK28E65WTK28E65WTK28E65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.094 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enha

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk28e65w.pdf pdf_icon

TK28E65W

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK28E65WITK28E65WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.11.Enhancement mode:Vth =2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=1.6mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

Другие MOSFET... TK25E60X , TK25E60X5 , TK25N60X , TK25N60X5 , TK25S06N1L , TK25V60X , TK25V60X5 , TK28A65W , AON6380 , TK28N65W , TK28N65W5 , TK28V65W , TK2P90E , TK30A06N1 , TK30E06N1 , TK31A60W , TK31E60W .

History: BSO300N03S | BSF134N10NJ3G

 

 
Back to Top

 


 
.