TK31A60W Todos los transistores

 

TK31A60W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK31A60W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.088 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220SIS
 

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TK31A60W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  toshiba
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TK31A60W

TK31A60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK31A60WTK31A60WTK31A60WTK31A60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.073 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
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TK31A60W

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor TK31A60W, ITK31A60WFEATURESLow drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.073 (typ.)Easy to control Gate switchingEnhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=1.5mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage Regul

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History: S15H12R | BUK9540-100A | SM3419NHQA | RS1G180MN | CS5N65FA9R | CPH6311 | KQB2N50

 

 
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