TK31A60W - описание и поиск аналогов

 

TK31A60W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK31A60W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088 Ohm

Тип корпуса: TO-220SIS

Аналог (замена) для TK31A60W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK31A60W даташит

 ..1. Size:250K  toshiba
 tk31a60w.pdf pdf_icon

TK31A60W

TK31A60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK31A60W TK31A60W TK31A60W TK31A60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.073 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk31a60w.pdf pdf_icon

TK31A60W

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor TK31A60W, ITK31A60W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.073 (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=1.5mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regul

Другие MOSFET... TK28A65W , TK28E65W , TK28N65W , TK28N65W5 , TK28V65W , TK2P90E , TK30A06N1 , TK30E06N1 , STP65NF06 , TK31E60W , TK31E60X , TK31J60W , TK31J60W5 , TK31N60W , TK31N60W5 , TK31N60X , TK31V60W .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.