Справочник MOSFET. TK31A60W

 

TK31A60W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK31A60W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.7 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 86 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088 Ohm
   Тип корпуса: TO-220SIS
 

 Аналог (замена) для TK31A60W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK31A60W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  toshiba
 tk31a60w.pdf pdf_icon

TK31A60W

TK31A60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK31A60WTK31A60WTK31A60WTK31A60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.073 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk31a60w.pdf pdf_icon

TK31A60W

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor TK31A60W, ITK31A60WFEATURESLow drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.073 (typ.)Easy to control Gate switchingEnhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=1.5mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage Regul

Другие MOSFET... TK28A65W , TK28E65W , TK28N65W , TK28N65W5 , TK28V65W , TK2P90E , TK30A06N1 , TK30E06N1 , IRFZ48N , TK31E60W , TK31E60X , TK31J60W , TK31J60W5 , TK31N60W , TK31N60W5 , TK31N60X , TK31V60W .

History: STP6N80K5 | ZXMN6A25G | MDP13N50TH | AONR36328 | AONR62818 | MDP12N50TH

 

 
Back to Top

 


 
.