TK31J60W Todos los transistores

 

TK31J60W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK31J60W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.088 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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TK31J60W Datasheet (PDF)

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TK31J60W

TK31J60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK31J60WTK31J60WTK31J60WTK31J60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.073 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

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TK31J60W

TK31J60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK31J60W5TK31J60W5TK31J60W5TK31J60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 135 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.082 (typ.) by using Super Junction Stru

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History: FCPF190N65FL1 | NCEP1520G | FQNL2N50BBU

 

 
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