TK31J60W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK31J60W

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 230 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 30.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.7 V

Carga de compuerta (Qg): 86 nC

Tiempo de elevación (tr): 32 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.088 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK31J60W

TK31J60W Datasheet (PDF)

1.1. tk31j60w.pdf Size:251K _toshiba2

TK31J60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS) TK31J60W TK31J60W TK31J60W TK31J60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.073 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

1.2. tk31j60w5.pdf Size:243K _toshiba2

TK31J60W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS) TK31J60W5 TK31J60W5 TK31J60W5 TK31J60W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time: trr = 135 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.082 Ω (typ.) by using Super Junction Stru

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Liste

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