TK31J60W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK31J60W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 230 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 30.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.7 V
Carga de compuerta (Qg): 86 nC
Tiempo de elevación (tr): 32 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.088 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK31J60W
TK31J60W Datasheet (PDF)
1.1. tk31j60w.pdf 
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TK31J60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS) TK31J60W TK31J60W TK31J60W TK31J60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.073 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E
1.2. tk31j60w5.pdf Size:243K _toshiba2
TK31J60W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS) TK31J60W5 TK31J60W5 TK31J60W5 TK31J60W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time: trr = 135 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.082 Ω (typ.) by using Super Junction Stru
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