Справочник MOSFET. TK31J60W

 

TK31J60W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK31J60W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.7 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 86 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для TK31J60W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK31J60W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  toshiba
 tk31j60w.pdf pdf_icon

TK31J60W

TK31J60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK31J60WTK31J60WTK31J60WTK31J60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.073 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

 0.1. Size:243K  toshiba
 tk31j60w5.pdf pdf_icon

TK31J60W

TK31J60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK31J60W5TK31J60W5TK31J60W5TK31J60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 135 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.082 (typ.) by using Super Junction Stru

Другие MOSFET... TK28N65W5 , TK28V65W , TK2P90E , TK30A06N1 , TK30E06N1 , TK31A60W , TK31E60W , TK31E60X , RU7088R , TK31J60W5 , TK31N60W , TK31N60W5 , TK31N60X , TK31V60W , TK31V60W5 , TK31V60X , TK32A12N1 .

History: SSM20P02GH | MCH5908

 

 
Back to Top

 


 
.