TK32A12N1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK32A12N1  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0138 Ohm

Encapsulados: TO-220SIS

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TK32A12N1 datasheet

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TK32A12N1

TK32A12N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK32A12N1 TK32A12N1 TK32A12N1 TK32A12N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 11.0 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 120 V) (3) Enh

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TK32A12N1

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor TK32A12N1 ITK32A12N1 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 11.0 m (typ.) (VGS = 10 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.5mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSO

Otros transistores... TK31J60W, TK31J60W5, TK31N60W, TK31N60W5, TK31N60X, TK31V60W, TK31V60W5, TK31V60X, AO4407, TK32E12N1, TK33S10N1Z, TK34A10N1, TK34E10N1, TK35A08N1, TK35A65W, TK35A65W5, TK35E08N1