TK32A12N1 - описание и поиск аналогов

 

TK32A12N1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK32A12N1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0138 Ohm

Тип корпуса: TO-220SIS

Аналог (замена) для TK32A12N1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK32A12N1 даташит

 ..1. Size:240K  toshiba
 tk32a12n1.pdf pdf_icon

TK32A12N1

TK32A12N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK32A12N1 TK32A12N1 TK32A12N1 TK32A12N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 11.0 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 120 V) (3) Enh

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 tk32a12n1.pdf pdf_icon

TK32A12N1

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor TK32A12N1 ITK32A12N1 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 11.0 m (typ.) (VGS = 10 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.5mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSO

Другие MOSFET... TK31J60W , TK31J60W5 , TK31N60W , TK31N60W5 , TK31N60X , TK31V60W , TK31V60W5 , TK31V60X , EMB04N03H , TK32E12N1 , TK33S10N1Z , TK34A10N1 , TK34E10N1 , TK35A08N1 , TK35A65W , TK35A65W5 , TK35E08N1 .

History: WM04N50M | BSZ040N04LSG | AGM3416E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.