TK34E10N1 Todos los transistores

 

TK34E10N1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK34E10N1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 103 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de TK34E10N1 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TK34E10N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:255K  toshiba
 tk34e10n1.pdf pdf_icon

TK34E10N1

TK34E10N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK34E10N1TK34E10N1TK34E10N1TK34E10N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 7.9 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 100 V)(3) Enha

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk34e10n1.pdf pdf_icon

TK34E10N1

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK34E10N1ITK34E10N1FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 9.5m. (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth =2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.5mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIM

Otros transistores... TK31N60X , TK31V60W , TK31V60W5 , TK31V60X , TK32A12N1 , TK32E12N1 , TK33S10N1Z , TK34A10N1 , AO3407 , TK35A08N1 , TK35A65W , TK35A65W5 , TK35E08N1 , TK35N65W , TK35N65W5 , TK39A60W , TK39J60W .

History: IXTH34N65X2 | 6706A | AONS21357 | PHD66NQ03LT

 

 
Back to Top

 


 
.