TK34E10N1 - описание и поиск аналогов

 

TK34E10N1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK34E10N1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 103 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для TK34E10N1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK34E10N1 даташит

 ..1. Size:255K  toshiba
 tk34e10n1.pdf pdf_icon

TK34E10N1

TK34E10N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK34E10N1 TK34E10N1 TK34E10N1 TK34E10N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 7.9 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 100 V) (3) Enha

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk34e10n1.pdf pdf_icon

TK34E10N1

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK34E10N1 ITK34E10N1 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 9.5m . (VGS = 10 V) Enhancement mode Vth =2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.5mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIM

Другие MOSFET... TK31N60X , TK31V60W , TK31V60W5 , TK31V60X , TK32A12N1 , TK32E12N1 , TK33S10N1Z , TK34A10N1 , AO4407A , TK35A08N1 , TK35A65W , TK35A65W5 , TK35E08N1 , TK35N65W , TK35N65W5 , TK39A60W , TK39J60W .

History: R6515KNJ | AP3NR85CMT

 

 

 

 

↑ Back to Top
.