TK35E08N1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK35E08N1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 72 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 55 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 25 nC
   Tiempo de subida (tr): 11 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 440 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0122 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK35E08N1

TK35E08N1 Datasheet (PDF)

..1. Size:245K toshiba
tk35e08n1.pdf

TK35E08N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK35E08N1TK35E08N1TK35E08N1TK35E08N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 10.0 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 80 V)(3) Enha

..2. Size:246K inchange semiconductor
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INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK35E08N1ITK35E08N1FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 12.2m. (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth =2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.3mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXI

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Liste

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