TK35E08N1 - описание и поиск аналогов

 

TK35E08N1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK35E08N1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0122 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для TK35E08N1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK35E08N1 даташит

 ..1. Size:245K  toshiba
 tk35e08n1.pdf pdf_icon

TK35E08N1

TK35E08N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK35E08N1 TK35E08N1 TK35E08N1 TK35E08N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 10.0 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 80 V) (3) Enha

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk35e08n1.pdf pdf_icon

TK35E08N1

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK35E08N1 ITK35E08N1 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 12.2m . (VGS = 10 V) Enhancement mode Vth =2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.3mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXI

Другие MOSFET... TK32A12N1 , TK32E12N1 , TK33S10N1Z , TK34A10N1 , TK34E10N1 , TK35A08N1 , TK35A65W , TK35A65W5 , IRF730 , TK35N65W , TK35N65W5 , TK39A60W , TK39J60W , TK39J60W5 , TK39N60W , TK39N60W5 , TK39N60X .

History: SVT03380PSA | SGP100N042

 

 

 

 

↑ Back to Top
.