Справочник MOSFET. TK35E08N1

 

TK35E08N1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK35E08N1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0122 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для TK35E08N1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK35E08N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  toshiba
 tk35e08n1.pdf pdf_icon

TK35E08N1

TK35E08N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK35E08N1TK35E08N1TK35E08N1TK35E08N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 10.0 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 80 V)(3) Enha

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk35e08n1.pdf pdf_icon

TK35E08N1

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK35E08N1ITK35E08N1FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 12.2m. (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth =2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.3mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXI

Другие MOSFET... TK32A12N1 , TK32E12N1 , TK33S10N1Z , TK34A10N1 , TK34E10N1 , TK35A08N1 , TK35A65W , TK35A65W5 , BS170 , TK35N65W , TK35N65W5 , TK39A60W , TK39J60W , TK39J60W5 , TK39N60W , TK39N60W5 , TK39N60X .

History: IAUS180N04S4N015 | IMW120R090M1H | NCEP016N60VD | AOT280L | AP9410GM | 40N15L-TF2-T | AP9465AGH

 

 
Back to Top

 


 
.