TK39A60W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK39A60W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220SIS

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK39A60W

TK39A60W Datasheet (PDF)

..1. Size:235K toshiba
tk39a60w.pdf

TK39A60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK39A60WTK39A60WTK39A60WTK39A60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.055 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

..2. Size:254K inchange semiconductor
tk39a60w.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor TK39A60WITK39A60WFEATURESLow drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.065Easy to control Gate switchingEnhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=1.9mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage Regulators

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: