TK39A60W MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK39A60W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Encapsulados: TO-220SIS
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TK39A60W datasheet
tk39a60w.pdf
TK39A60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK39A60W TK39A60W TK39A60W TK39A60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.055 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E
tk39a60w.pdf
INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor TK39A60W ITK39A60W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.065 Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=1.9mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators
Otros transistores... TK34A10N1 , TK34E10N1 , TK35A08N1 , TK35A65W , TK35A65W5 , TK35E08N1 , TK35N65W , TK35N65W5 , IRF740 , TK39J60W , TK39J60W5 , TK39N60W , TK39N60W5 , TK39N60X , TK3P80E , TK40A06N1 , TK40E06N1 .
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