Справочник MOSFET. TK39A60W

 

TK39A60W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK39A60W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.7 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 38.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 110 nC
   Время нарастания (tr): 50 ns
   Выходная емкость (Cd): 90 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TO-220SIS

 Аналог (замена) для TK39A60W

 

 

TK39A60W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  toshiba
tk39a60w.pdf

TK39A60W
TK39A60W

TK39A60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK39A60WTK39A60WTK39A60WTK39A60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.055 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
tk39a60w.pdf

TK39A60W
TK39A60W

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor TK39A60WITK39A60WFEATURESLow drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.065Easy to control Gate switchingEnhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=1.9mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage Regulators

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: TK34A10N1

 

 
Back to Top