TK39A60W - описание и поиск аналогов

 

TK39A60W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK39A60W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: TO-220SIS

Аналог (замена) для TK39A60W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK39A60W даташит

 ..1. Size:235K  toshiba
 tk39a60w.pdf pdf_icon

TK39A60W

TK39A60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK39A60W TK39A60W TK39A60W TK39A60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.055 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
 tk39a60w.pdf pdf_icon

TK39A60W

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor TK39A60W ITK39A60W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.065 Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=1.9mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators

Другие MOSFET... TK34A10N1 , TK34E10N1 , TK35A08N1 , TK35A65W , TK35A65W5 , TK35E08N1 , TK35N65W , TK35N65W5 , IRF740 , TK39J60W , TK39J60W5 , TK39N60W , TK39N60W5 , TK39N60X , TK3P80E , TK40A06N1 , TK40E06N1 .

History: SE30200

 

 

 

 

↑ Back to Top
.