Справочник MOSFET. TK39A60W

 

TK39A60W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK39A60W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.7 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 110 nC
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TO-220SIS
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK39A60W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  toshiba
 tk39a60w.pdf pdf_icon

TK39A60W

TK39A60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK39A60WTK39A60WTK39A60WTK39A60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.055 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
 tk39a60w.pdf pdf_icon

TK39A60W

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor TK39A60WITK39A60WFEATURESLow drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.065Easy to control Gate switchingEnhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=1.9mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage Regulators

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SSP6N90A

 

 
Back to Top

 


 
.