Справочник MOSFET. TK39A60W

 

TK39A60W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK39A60W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TO-220SIS
 

 Аналог (замена) для TK39A60W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK39A60W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  toshiba
 tk39a60w.pdf pdf_icon

TK39A60W

TK39A60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK39A60WTK39A60WTK39A60WTK39A60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.055 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
 tk39a60w.pdf pdf_icon

TK39A60W

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor TK39A60WITK39A60WFEATURESLow drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.065Easy to control Gate switchingEnhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=1.9mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage Regulators

Другие MOSFET... TK34A10N1 , TK34E10N1 , TK35A08N1 , TK35A65W , TK35A65W5 , TK35E08N1 , TK35N65W , TK35N65W5 , IRF740 , TK39J60W , TK39J60W5 , TK39N60W , TK39N60W5 , TK39N60X , TK3P80E , TK40A06N1 , TK40E06N1 .

History: BSZ100N03MSG | 2SK3506 | BSZ035N03LSG

 

 
Back to Top

 


 
.