TK40S06N1L Todos los transistores

 

TK40S06N1L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK40S06N1L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 88.2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 26 nC
   Tiempo de subida (tr): 7 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 835 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

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TK40S06N1L Datasheet (PDF)

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TK40S06N1L
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TK40S06N1LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK40S06N1LTK40S06N1LTK40S06N1LTK40S06N1L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.7 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDS

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TK40S10K3ZMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK40S10K3ZTK40S10K3ZTK40S10K3ZTK40S10K3Z1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 14.4 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage curren

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