TK40S06N1L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK40S06N1L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 88.2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 26 nC
Tiempo de subida (tr): 7 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 835 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0105 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK40S06N1L
TK40S06N1L Datasheet (PDF)
tk40s06n1l.pdf
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TK40S06N1LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK40S06N1LTK40S06N1LTK40S06N1LTK40S06N1L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.7 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDS
tk40s10k3z.pdf
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TK40S10K3ZMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK40S10K3ZTK40S10K3ZTK40S10K3ZTK40S10K3Z1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 14.4 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage curren
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