TK40S06N1L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TK40S06N1L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 88.2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 26 nC
Время нарастания (tr): 7 ns
Выходная емкость (Cd): 835 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0105 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для TK40S06N1L
TK40S06N1L Datasheet (PDF)
tk40s06n1l.pdf
TK40S06N1LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK40S06N1LTK40S06N1LTK40S06N1LTK40S06N1L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.7 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDS
tk40s10k3z.pdf
TK40S10K3ZMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK40S10K3ZTK40S10K3ZTK40S10K3ZTK40S10K3Z1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 14.4 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage curren
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
