TK4Q60DA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK4Q60DA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: PW-MOLD2

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK4Q60DA

TK4Q60DA Datasheet (PDF)

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tk4q60da.pdf

TK4Q60DAMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK4Q60DATK4Q60DATK4Q60DATK4Q60DA1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.7 (typ.) (VGS = 10 V)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.2 S (typ.)(3) Low leakage

Otros transistores... TK42A12N1 , TK42E12N1 , TK45S06K3L , TK46A08N1 , TK46E08N1 , TK49N65W , TK49N65W5 , TK4P60D , IRFB4115 , TK50A04K3 , TK50S04K3L , TK55S10N1 , TK56A12N1 , TK56E12N1 , TK58A06N1 , TK58E06N1 , TK5A60W .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: