Справочник MOSFET. TK4Q60DA

 

TK4Q60DA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK4Q60DA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: PW-MOLD2
 

 Аналог (замена) для TK4Q60DA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK4Q60DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:239K  toshiba
 tk4q60da.pdf pdf_icon

TK4Q60DA

TK4Q60DAMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK4Q60DATK4Q60DATK4Q60DATK4Q60DA1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.7 (typ.) (VGS = 10 V)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.2 S (typ.)(3) Low leakage

Другие MOSFET... TK42A12N1 , TK42E12N1 , TK45S06K3L , TK46A08N1 , TK46E08N1 , TK49N65W , TK49N65W5 , TK4P60D , IRFB4110 , TK50A04K3 , TK50S04K3L , TK55S10N1 , TK56A12N1 , TK56E12N1 , TK58A06N1 , TK58E06N1 , TK5A60W .

History: 10N60L-T2Q-T | FQPF6N50 | CSD18542KCS | GP2M020A050N | 2SK2865 | SMIRF10N65T1TL

 

 
Back to Top

 


 
.