TK4Q60DA - описание и поиск аналогов

 

TK4Q60DA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK4Q60DA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: PW-MOLD2

Аналог (замена) для TK4Q60DA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK4Q60DA даташит

 ..1. Size:239K  toshiba
 tk4q60da.pdf pdf_icon

TK4Q60DA

TK4Q60DA MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK4Q60DA TK4Q60DA TK4Q60DA TK4Q60DA 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.7 (typ.) (VGS = 10 V) (2) High forward transfer admittance Yfs = 2.2 S (typ.) (3) Low leakage

Другие MOSFET... TK42A12N1 , TK42E12N1 , TK45S06K3L , TK46A08N1 , TK46E08N1 , TK49N65W , TK49N65W5 , TK4P60D , AON6414A , TK50A04K3 , TK50S04K3L , TK55S10N1 , TK56A12N1 , TK56E12N1 , TK58A06N1 , TK58E06N1 , TK5A60W .

History: MTP12P10G | KHB4D0N80P1 | AOC2806 | MTP15N05

 

 

 

 

↑ Back to Top
.