TK50A04K3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK50A04K3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
Encapsulados: TO-220SIS
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TK50A04K3 datasheet
tk50a04k3.pdf
TK50A04K3 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK50A04K3 TK50A04K3 TK50A04K3 TK50A04K3 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 2.7 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS = 10
tk50a04k3.pdf
INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor TK50A04K3 ITK50A04K3 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 3.5m (VGS = 10 V) Enhancement mode Vth = 3.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMU
Otros transistores... TK42E12N1 , TK45S06K3L , TK46A08N1 , TK46E08N1 , TK49N65W , TK49N65W5 , TK4P60D , TK4Q60DA , IRFB4115 , TK50S04K3L , TK55S10N1 , TK56A12N1 , TK56E12N1 , TK58A06N1 , TK58E06N1 , TK5A60W , TK5A60W5 .
History: CS4N80FA9HD | STF21NM60N | SSPS922NE | NCEP85T14 | MTP2N40 | KF6N70I | SRC60R078BT
History: CS4N80FA9HD | STF21NM60N | SSPS922NE | NCEP85T14 | MTP2N40 | KF6N70I | SRC60R078BT
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