TK50A04K3 Todos los transistores

 

TK50A04K3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK50A04K3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220SIS
 

 Búsqueda de reemplazo de TK50A04K3 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TK50A04K3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  toshiba
 tk50a04k3.pdf pdf_icon

TK50A04K3

TK50A04K3MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TK50A04K3TK50A04K3TK50A04K3TK50A04K31. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.7 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 tk50a04k3.pdf pdf_icon

TK50A04K3

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor TK50A04K3ITK50A04K3FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 3.5m (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth = 3.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMU

Otros transistores... TK42E12N1 , TK45S06K3L , TK46A08N1 , TK46E08N1 , TK49N65W , TK49N65W5 , TK4P60D , TK4Q60DA , IRFP250N , TK50S04K3L , TK55S10N1 , TK56A12N1 , TK56E12N1 , TK58A06N1 , TK58E06N1 , TK5A60W , TK5A60W5 .

 

 
Back to Top

 


 
.