Справочник MOSFET. TK50A04K3

 

TK50A04K3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK50A04K3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO-220SIS
 

 Аналог (замена) для TK50A04K3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK50A04K3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  toshiba
 tk50a04k3.pdf pdf_icon

TK50A04K3

TK50A04K3MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TK50A04K3TK50A04K3TK50A04K3TK50A04K31. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.7 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 tk50a04k3.pdf pdf_icon

TK50A04K3

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor TK50A04K3ITK50A04K3FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 3.5m (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth = 3.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMU

Другие MOSFET... TK42E12N1 , TK45S06K3L , TK46A08N1 , TK46E08N1 , TK49N65W , TK49N65W5 , TK4P60D , TK4Q60DA , IRFP250N , TK50S04K3L , TK55S10N1 , TK56A12N1 , TK56E12N1 , TK58A06N1 , TK58E06N1 , TK5A60W , TK5A60W5 .

History: AP9970GI-HF | 2SK3755 | JCS4N90SA | AP9970AGP-HF | HYG023N03LR1D | 2SK3541-P

 

 
Back to Top

 


 
.