TK55S10N1 Todos los transistores

 

TK55S10N1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK55S10N1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 157 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1520 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: DPAK

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TK55S10N1 datasheet

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TK55S10N1

TK55S10N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK55S10N1 TK55S10N1 TK55S10N1 TK55S10N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 5.5 m (typ.) (VGS = 10 V) (3) Low l

Otros transistores... TK46A08N1 , TK46E08N1 , TK49N65W , TK49N65W5 , TK4P60D , TK4Q60DA , TK50A04K3 , TK50S04K3L , P55NF06 , TK56A12N1 , TK56E12N1 , TK58A06N1 , TK58E06N1 , TK5A60W , TK5A60W5 , TK5A65W , TK5P60W .

History: 2SK1916 | AP85T08GS | TPCM8004-H | P0260ATF | STM9930A | SVT035R5NT | TK4Q60DA

 

 

 

 

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