TK55S10N1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK55S10N1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 157 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1520 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK55S10N1

TK55S10N1 Datasheet (PDF)

..1. Size:249K toshiba
tk55s10n1.pdf

TK55S10N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK55S10N1TK55S10N1TK55S10N1TK55S10N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) AEC-Q101 qualified(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 5.5 m (typ.) (VGS = 10 V)(3) Low l

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: