Справочник MOSFET. TK55S10N1

 

TK55S10N1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK55S10N1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 157 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 49 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1520 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK55S10N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  toshiba
 tk55s10n1.pdf pdf_icon

TK55S10N1

TK55S10N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK55S10N1TK55S10N1TK55S10N1TK55S10N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) AEC-Q101 qualified(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 5.5 m (typ.) (VGS = 10 V)(3) Low l

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: WTC2305 | IPD50R280CE | HM4407 | STD5N62K3 | ZVNL120ASTZ

 

 
Back to Top

 


 
.