Справочник MOSFET. TK55S10N1

 

TK55S10N1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK55S10N1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 157 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1520 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TK55S10N1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK55S10N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  toshiba
 tk55s10n1.pdf pdf_icon

TK55S10N1

TK55S10N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK55S10N1TK55S10N1TK55S10N1TK55S10N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) AEC-Q101 qualified(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 5.5 m (typ.) (VGS = 10 V)(3) Low l

Другие MOSFET... TK46A08N1 , TK46E08N1 , TK49N65W , TK49N65W5 , TK4P60D , TK4Q60DA , TK50A04K3 , TK50S04K3L , IRFB4115 , TK56A12N1 , TK56E12N1 , TK58A06N1 , TK58E06N1 , TK5A60W , TK5A60W5 , TK5A65W , TK5P60W .

 

 
Back to Top

 


 
.