TK55S10N1 - описание и поиск аналогов

 

TK55S10N1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK55S10N1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 157 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TK55S10N1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK55S10N1 даташит

 ..1. Size:249K  toshiba
 tk55s10n1.pdf pdf_icon

TK55S10N1

TK55S10N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK55S10N1 TK55S10N1 TK55S10N1 TK55S10N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 5.5 m (typ.) (VGS = 10 V) (3) Low l

Другие MOSFET... TK46A08N1 , TK46E08N1 , TK49N65W , TK49N65W5 , TK4P60D , TK4Q60DA , TK50A04K3 , TK50S04K3L , P55NF06 , TK56A12N1 , TK56E12N1 , TK58A06N1 , TK58E06N1 , TK5A60W , TK5A60W5 , TK5A65W , TK5P60W .

History: LSB65R180GT | APM7336K | HIRF730 | R5011ANX | WTN9435 | 2SJ177 | OSG70R750DF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.