TK56A12N1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK56A12N1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 45 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 120 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 56 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 69 nC
   Tiempo de subida (tr): 20 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 650 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220SIS

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK56A12N1

TK56A12N1 Datasheet (PDF)

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tk56a12n1.pdf

TK56A12N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK56A12N1TK56A12N1TK56A12N1TK56A12N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.2 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 120 V)(3) Enha

..2. Size:252K inchange semiconductor
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INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor TK56A12N1ITK56A12N1FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 7.5m (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXI

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: