TK56A12N1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK56A12N1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Encapsulados: TO-220SIS
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TK56A12N1 datasheet
tk56a12n1.pdf
TK56A12N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK56A12N1 TK56A12N1 TK56A12N1 TK56A12N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 6.2 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 120 V) (3) Enha
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INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor TK56A12N1 ITK56A12N1 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 7.5m (VGS = 10 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXI
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History: IXFC16N80P | IXFC52N30P
History: IXFC16N80P | IXFC52N30P
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