TK56A12N1 - описание и поиск аналогов

 

TK56A12N1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK56A12N1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO-220SIS

Аналог (замена) для TK56A12N1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK56A12N1 даташит

 ..1. Size:237K  toshiba
 tk56a12n1.pdf pdf_icon

TK56A12N1

TK56A12N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK56A12N1 TK56A12N1 TK56A12N1 TK56A12N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 6.2 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 120 V) (3) Enha

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 tk56a12n1.pdf pdf_icon

TK56A12N1

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor TK56A12N1 ITK56A12N1 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 7.5m (VGS = 10 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXI

Другие MOSFET... TK46E08N1 , TK49N65W , TK49N65W5 , TK4P60D , TK4Q60DA , TK50A04K3 , TK50S04K3L , TK55S10N1 , 8205A , TK56E12N1 , TK58A06N1 , TK58E06N1 , TK5A60W , TK5A60W5 , TK5A65W , TK5P60W , TK5P60W5 .

History: CM5N80F | AP18N20GS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.