Справочник MOSFET. TK56A12N1

 

TK56A12N1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK56A12N1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 69 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO-220SIS

 Аналог (замена) для TK56A12N1

 

 

TK56A12N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  toshiba
 tk56a12n1.pdf

TK56A12N1 TK56A12N1

TK56A12N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK56A12N1TK56A12N1TK56A12N1TK56A12N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.2 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 120 V)(3) Enha

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 tk56a12n1.pdf

TK56A12N1 TK56A12N1

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor TK56A12N1ITK56A12N1FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 7.5m (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXI

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top